Gali Phosphide GaP

Sự mô tả

Gali Phosphide GaP, một chất bán dẫn quan trọng có các tính chất điện độc đáo như các vật liệu hợp chất III-V khác, kết tinh theo cấu trúc khối ZB bền nhiệt động lực học, là vật liệu tinh thể bán trong suốt màu vàng cam với độ rộng vùng cấm gián tiếp là 2,26 eV (300K), là được tổng hợp từ gali và phốt pho có độ tinh khiết cao 6N 7N, và được phát triển thành đơn tinh thể bằng kỹ thuật LEC (Liquid Encapsulated Czochralski).Tinh thể Gallium Phosphide được pha tạp chất lưu huỳnh hoặc Tellurium để thu được chất bán dẫn loại n và kẽm được pha tạp chất dẫn điện loại p để chế tạo thêm thành wafer mong muốn, có ứng dụng trong hệ thống quang học, điện tử và các thiết bị quang điện tử khác.Tấm wafer GaP tinh thể đơn có thể được chuẩn bị Epi-Ready cho ứng dụng biểu mô LPE, MOCVD và MBE của bạn.Chất lượng cao Gallium phosphide GaP wafer chất lượng cao độ dẫn điện loại p, loại n hoặc không pha tạp tại Western Minmetals (SC) Corporation có thể được cung cấp với kích thước 2 ″ và 3 ”(50mm, đường kính 75mm), định hướng <100>, <111 > với bề mặt hoàn thiện của quá trình cắt, đánh bóng hoặc sẵn sàng epi.

Các ứng dụng

Với dòng điện thấp và hiệu suất phát sáng cao, tấm wafer Gali phosphide GaP thích hợp cho các hệ thống hiển thị quang học như điốt phát sáng màu đỏ, cam và xanh lá cây (LED) chi phí thấp và đèn nền của LCD màu vàng và xanh lá cây, v.v. và sản xuất chip LED với độ sáng thấp đến trung bình, GaP cũng được sử dụng rộng rãi làm chất nền cơ bản cho sản xuất cảm biến hồng ngoại và camera giám sát.

Yêu cầu ngay bây giờ

Thông tin chi tiết

Thẻ

Thông số kỹ thuật

Gali Phosphide GaP

Tấm wafer GaP Gallium Phosphide đơn tinh thể chất lượng cao hoặc chất nền loại p, loại n hoặc không pha tạp tại Western Minmetals (SC) Corporation có thể được cung cấp với kích thước đường kính 2 ″ và 3 ”(50mm, 75mm), định hướng <100> "

Không.	vật phẩm	Tiêu chuẩn rõ ràng
1	Kích thước GaP	2"
2	Đường kính mm	50,8 ± 0,5
3	Phương pháp tăng trưởng	LE C
4	Loại dẫn điện	P-type / Zn-doped, N-type / (S, Si, Te) -doped, Un-doping
5	Định hướng	<1 1 1> ± 0,5 °
6	Độ dày μm	(300-400) ± 20
7	Điện trở suất Ω-cm	0,003-0,3
8	Định hướng phẳng (OF) mm	16 ± 1
9	Nhận dạng phẳng (IF) mm	8 ± 1
10	Hall Mobility cm2 / Vs min	100
11	Nồng độ sóng mang cm^-3	(2-20) E17
12	Mật độ trật khớp cm^-2tối đa	2,00E + 05
13	Kết thúc bề mặt	P / E, P / P
14	Đóng gói	Hộp đựng wafer đơn được niêm phong trong túi nhôm composite, bên ngoài hộp carton

Công thức tuyến tính	Khoảng cách
Trọng lượng phân tử	100,7
Cấu trúc tinh thể	Kẽm pha trộn
Sự xuất hiện	Chất rắn màu cam
Độ nóng chảy	N / A
Điểm sôi	N / A
Mật độ ở 300K	4,14 g / cm³
Khoảng cách năng lượng	2,26 eV
Điện trở suất nội tại	N / A
Số CAS	12063-98-8
Số EC	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, với dòng điện thấp và hiệu suất phát sáng cao, thích hợp cho các hệ thống hiển thị quang học như điốt phát sáng màu đỏ, cam và xanh lá cây (LED) chi phí thấp và đèn nền của LCD màu vàng và xanh lá cây, v.v. và sản xuất chip LED với mức thấp đến trung bình độ sáng, GaP cũng được sử dụng rộng rãi làm chất nền cơ bản cho sản xuất cảm biến hồng ngoại và camera giám sát.