Gali Antimonide GaSb

Sự mô tả

Gali Antimonide GaSb, một chất bán dẫn của các hợp chất nhóm III – V với cấu trúc mạng tinh thể kẽm, được tổng hợp bởi các nguyên tố gali và antimon có độ tinh khiết cao 6N 7N, và phát triển thành tinh thể bằng phương pháp LEC từ thỏi đa tinh thể đông lạnh định hướng hoặc phương pháp VGF với EPD <1000cm^-3.GaSb wafer có thể được cắt lát và chế tạo sau đó từ một thỏi tinh thể với độ đồng nhất cao về các thông số điện, cấu trúc mạng tinh thể độc đáo và không đổi, mật độ khuyết tật thấp, chiết suất cao nhất so với hầu hết các hợp chất phi kim loại khác.GaSb có thể được xử lý với nhiều sự lựa chọn theo hướng chính xác hoặc lệch hướng, nồng độ pha tạp thấp hoặc cao, bề mặt hoàn thiện tốt và cho sự phát triển biểu mô MBE hoặc MOCVD.Chất nền Gali Antimonide đang được sử dụng trong các ứng dụng quang học và quang điện tử tiên tiến nhất như chế tạo máy dò ảnh, máy dò hồng ngoại có tuổi thọ cao, độ nhạy và độ tin cậy cao, thành phần quang điện trở, đèn LED hồng ngoại và laser, bóng bán dẫn, tế bào quang điện nhiệt và hệ thống quang điện nhiệt.

Vận chuyển

Gali Antimonide GaSb tại Western Minmetals (SC) Corporation có thể được cung cấp với độ dẫn điện bán cách điện loại n, loại p và không có vỏ bọc với kích thước đường kính 2 ”3” và 4 ”(50mm, 75mm, 100mm), định hướng <111> hoặc <100>, và với lớp hoàn thiện bề mặt wafer như cắt, khắc, đánh bóng hoặc lớp hoàn thiện sẵn sàng kiểu epixy chất lượng cao.Tất cả các lát cắt đều được khắc laser riêng biệt để xác định danh tính.Trong khi đó, cục GaSb gallium antimonide đa tinh thể cũng được tùy chỉnh theo yêu cầu để đưa ra giải pháp hoàn hảo.

Yêu cầu ngay bây giờ

Thông tin chi tiết

Thẻ

Thông số kỹ thuật

Gali Antimonide

GaSb

Gali Antimonide GaSbchất nền đang được sử dụng trong các ứng dụng quang học và quang điện tử tiên tiến nhất như chế tạo máy dò ảnh, máy dò hồng ngoại có tuổi thọ cao, độ nhạy và độ tin cậy cao, thành phần quang điện tử, đèn LED và laser hồng ngoại, bóng bán dẫn, tế bào quang điện nhiệt và nhiệt -hệ thống quang điện.

	vật phẩm	Tiêu chuẩn rõ ràng
1	Kích thước	2"	3"	4"
2	Đường kính mm	50,5 ± 0,5	76,2 ± 0,5	100 ± 0,5
3	Phương pháp tăng trưởng	LE C	LE C	LE C
4	Độ dẫn nhiệt	Loại P / pha tạp Zn, không pha tạp, loại N / pha tạp Te
5	Định hướng	(100) ± 0,5 °, (111) ± 0,5 °
6	Độ dày μm	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
7	Định hướng phẳng mm	16 ± 2	22 ± 1	32,5 ± 1
8	Nhận dạng phẳng mm	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	Độ di động cm2 / Vs	200-3500 hoặc theo yêu cầu
10	Nồng độ sóng mang cm-3	(1-100) E17 hoặc theo yêu cầu
11	TTV μm tối đa	15	15	15
12	Cung tối đa μm	15	15	15
13	Warp μm tối đa	20	20	20
14	Mật độ trật khớp cm-2 tối đa	500	1000	2000
15	Kết thúc bề mặt	P / E, P / P	P / E, P / P	P / E, P / P
16	Đóng gói	Hộp đựng wafer đơn được đóng kín trong túi nhôm.

Công thức tuyến tính	GaSb
Trọng lượng phân tử	191.48
Cấu trúc tinh thể	Kẽm pha trộn
Vẻ bề ngoài	Chất rắn kết tinh màu xám
Độ nóng chảy	710 ° C
Điểm sôi	N / A
Mật độ ở 300K	5,61 g / cm³
Khoảng cách năng lượng	0,726 eV
Điện trở suất nội tại	1E3 Ω-cm
Số CAS	12064-03-8
Số EC	235-058-8

Gali Antimonide GaSbtại Western Minmetals (SC) Corporation có thể được cung cấp dây dẫn bán cách điện loại n, loại p và không có vỏ bọc với kích thước đường kính 2 ”3” và 4 ”(50mm, 75mm, 100mm), định hướng <111> hoặc <100 >, và với lớp hoàn thiện bề mặt wafer như cắt, khắc, đánh bóng hoặc lớp hoàn thiện sẵn sàng bằng chất liệu cao cấp.Tất cả các lát cắt đều được khắc laser riêng biệt để xác định danh tính.Trong khi đó, cục GaSb gallium antimonide đa tinh thể cũng được tùy chỉnh theo yêu cầu để đưa ra giải pháp hoàn hảo.