FZ Silicon Wafer

Sự mô tả

FZ Wafer silicon tinh thể đơn,Vùng nổi (FZ) Silicon là silicon cực kỳ tinh khiết với nồng độ rất thấp của ôxy và các tạp chất carbon được kéo bằng công nghệ tinh chế vùng nổi theo phương thẳng đứng.FZ Floating zone là một phương pháp nuôi cấy thỏi đơn tinh thể khác với phương pháp CZ, trong đó tinh thể hạt được gắn dưới thỏi silicon đa tinh thể, và đường viền giữa tinh thể hạt và silicon tinh thể đa tinh thể được nấu chảy bằng cách nung nóng cảm ứng cuộn dây RF để kết tinh đơn.Cuộn dây RF và vùng nóng chảy di chuyển lên trên, và một tinh thể đơn lẻ sẽ đông đặc lên trên tinh thể hạt giống.Silicon vùng nổi được đảm bảo với sự phân bố dopant đồng đều, biến đổi điện trở suất thấp hơn, hạn chế lượng tạp chất, tuổi thọ đáng kể, mục tiêu điện trở suất cao và silicon có độ tinh khiết cao.Silicon vùng nổi là một chất thay thế có độ tinh khiết cao cho các tinh thể được nuôi cấy bằng quy trình Czochralski CZ.Với các đặc điểm của phương pháp này, Silicon đơn tinh thể FZ lý tưởng để sử dụng trong chế tạo thiết bị điện tử, chẳng hạn như điốt, thyristor, IGBT, MEMS, diode, thiết bị RF và MOSFET công suất, hoặc làm chất nền cho máy dò hạt hoặc quang học có độ phân giải cao , thiết bị điện và cảm biến, pin mặt trời hiệu suất cao, v.v.

Vận chuyển

FZ Single Crystal Silicon Wafer Độ dẫn điện loại N và loại P tại Western Minmetals (SC) Corporation có thể được phân phối với kích thước 2, 3, 4, 6 và 8 inch (50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm và 200mm) và định hướng <100>, <110>, <111> với bề mặt hoàn thiện như Cắt, Lapped, khắc và đánh bóng trong gói hộp xốp hoặc hộp băng với hộp carton bên ngoài.